1290万元！5则学校采购意向公告

中国政府采购网近日发布“上海交通大学2023年12月政府采购意向”，总预算金额1290万元。

“机械减薄机（MP）”，机械减薄机（MP），数量1套，加工晶圆及特殊材料（包括硅片、砷化镓、陶瓷、树脂等晶圆），直径4寸/5寸/6寸/8寸等多种，厚度范围50um ~2400um，具体要求见采购文件。供货周期为合同签订后6个月内，到采购人指定的地点并安装验收完毕（包括供货、安装、调试、验收合格）。具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。

“超高真空电子束蒸发镀膜仪”，用于制备封装所需的各种材料，如金属、氧化物和氮化物等材料。这些材料可用于制备封装层、保护层、反射镜、阻尼层、光学涂层、隔离层及金属加热电阻元件等，以提供MEMS器件所需的功能，工件台直径步小于9英寸；样品8英寸或更小，具体要求见采购文件。供货周期为合同签订后6个月内，到采购人指定的地点并安装验收完毕（包括供货、安装、调试、验收合格）。具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。

“晶圆键合机（W2W）”，6寸半自动晶圆键合机W2W，一套，能够实现3、4、6寸晶圆级和及以下最小至10x10mm小片的热压键合、胶键合等功能，圆片堆叠最大厚度≥ 6 mm，具体要求见采购文件。供货周期为合同签订后40周内，到采购人指定的地点并安装验收完毕（包括供货、安装、调试、验收合格）。具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。

“感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统”，感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统（ICPECVD），数量1套，采用感应耦合等离子体（ICP）方式产生高密度等离子体，在硅、III-V族、II-VI族化合物半导体、聚合物等衬底材料上、实现介质薄膜（包括氧化硅、氮化硅、氮氧硅等）的化学气相沉积，在8吋及以下半导体衬底上沉积高质量的 BPSG(磷硅玻璃)薄膜、介质薄膜(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx、氮氧硅SiOxNv)、非晶硅、微晶硅、Si碳化硅、DLC类金刚石等多种膜层。沉积温度可从室温到+300°C(可选到+400°C)，满足车规级产品技术要求，最大8吋，向下兼容6吋、4吋、3吋、2吋和碎片。不同尺寸样品之间的切换、无需开腔、无需破真空，具体要求见采购文件。供货周期为合同签订后6个月内，到采购人指定的地点并安装验收完毕（包括供货、安装、调试、验收合格）。具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。

“多靶磁控溅射镀膜系统”多靶磁控溅射镀膜系统，数量1套，8寸内多片自动进样式磁控溅射，可直接溅射金属和介质材料，并可采用反应溅射的方法制备Al2O3、SiO2等薄膜，是集成工艺中薄膜制备的关键工艺，通过感应合 (ICP) 方式产生高密度等离子体，在半导体衬底上沉积高质量的 BPSG(磷硅玻璃)薄膜、介质薄膜(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx、氮氧硅SiOxNv)、非晶硅、微晶硅、Si碳化硅、DLC类金刚石等多种膜层。沉积温度可从室温到+300°C(可选到+400°C)，满足车规级产品技术要求沉积各种金属、氧化物（银、铝、钛、镍、铬、锌、铜、钨、锗、氮化钛、二氧化硅、ITO），具体要求见采购文件。供货周期为合同签订后6个月内，到采购人指定的地点并安装验收完毕（包括供货、安装、调试、验收合格）。具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。

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